.SUBCKT IPW60R045CP_L0  drain  gate  source

Lg     gate  g1    8n
Ld     drain d1    3n
Ls     source s1   8n
Rs      s1    s2   1.5m

Rg     g1    g2     1.3
M1      d2    g2    s2    s2    DMOS    L=1u   W=1u
.MODEL DMOS NMOS ( KP= 112.533  VTO=3.85  THETA=0  VMAX=1.5e5  ETA=0  LEVEL=3)
Rd     d2    d1a    0.034 TC=13m
.MODEL MVDR NMOS (KP=272.45 VTO=-1   LAMBDA=0.15)
Mr d1 d2a d1a d1a MVDR W=1u L=1u
Rx d2a d1a 1m
Cds1 s2 d2 195.5p
Dbd     s2    d2    Dbt
.MODEL     Dbt    D(BV=600   M=0.85  CJO=88.84n  VJ=0.5V)
Dbody   s2   21    DBODY
.MODEL DBODY  D(IS=42.1p  N=1.08  RS=2u  EG=1.12  TT=750n)
Rdiode  d1  21    1.69m TC=6m

.MODEL   sw    NMOS(VTO=0  KP=10   LEVEL=1)
Maux      g2   c    a    a   sw
Maux2     b    d    g2    g2   sw
Eaux      c    a    d2    g2   1
Eaux2     d    g2   d2    g2   -1
Cox       b    d2   5.51n
.MODEL     DGD    D(M=1   CJO=5.51n   VJ=0.5)
Rpar      b    d2   1Meg
Dgd       a    d2   DGD
Rpar2     d2   a    10Meg
Cgs     g2    s2    6.81n

.ENDS  IPW60R045CP_L0