%% Skript zu Auslegung eines Trsanformators für einen SMPS clear all close all %% p = 1.724e-6; %Spez. Widerstand der Litze [Ohm cm] D_max = 0.75; %Maximaler Duty Cycle V_in_min = 350; %Minimale Eingangsspannung [V] V_in_nom = 511; %Nominelle Eingangsspannung [V] V_FET = 0.3; %Spannungsabfall an FETs V_D = 0.7; %Durchlassspannung Diode [V] V_out = 24; %Ausgangsspannung P_out = 1e3; %Maximale EE40 könnte Probleme mit Sättigung %verursachen Ac = 2.4; %[cm^2] Wa = 2.29; %[cm^2] MLT = 7.7; %[cm] lm = 9.86; %[cm] A_l = 5340; %Peak AC Flux density [T] dB = power((1e8*p*lam1*lam1*I_tot*I_tot/(2*Ku)) * (MLT/(Wa*lm*Ac*Ac*Ac) * 1/(beta*K_fe)),1/(beta+2)); %Primary turns n1 = lam1 /(2*dB*Ac)*1e4; n2 = n1/n; %Runden n1_r = round(n1); n2_r = round(n2); n_r = n1_r / n2_r; %Area for windings alpha*Wa ergibt die verfügbare Fläche der Windung alpha1 = I_1_rms/I_tot; alpha2 = I_2_rms/(n_r*I_tot); %Wire sizes Aw1 = alpha1*Ku*Wa/n1_r; %[cm^2] Beispiel AWG 23 Aw2 = alpha2*Ku*Wa/n2_r; %[cm^2] Beispiel AWG 14 %DC Resistance R1 = p * n1_r*MLT/Aw1; R2 = p* n2*MLT/Aw2; %Verluste berechnen B_new = lam1/(2*n1_r*Ac) *1e4; P_fe = K_fe * power(B_new,beta) * Ac * lm; %Core losses P_cu = (p*lam1*lam1*I_tot*I_tot)/(4*Ku) * MLT/(Wa*Ac*Ac) * 1/(B_new*B_new) * 1e8; P_tot = P_fe + P_cu; %Magnetizing Inductance berechnen Lm = A_l * n1_r * n1_r *1e-9; I_1_rms / (Aw1*100) I_2_rms / (Aw2*100)